Дипломная работа: Источник бесперебойного питания мощностью 600 Вт
Чим
гірші характеристики конденсатора вхідного фільтра, тим більше енергію ВЧ
струму буде забирати блок із силової лінії, що приведе до виникнення
кондуктивних синфазних електормагнітних завад.
Другим
основним джерелом шуму є контур, що складається з вихідних діодів, конденсатора
вихідного фільтра і вторинних обмоток трансформатора. Між цими компонентами
протікають трапецеподібні струми великої амплітуди. Конденсатор вихідного
фільтра і випрямляч необхідно розміщувати як можна ближче до трансформатора;
для мінімалізації випромінюваного струму. Це джерело також створює синфазні
кондуктивні завади, головним чином, на вихідних лініях джерела живлення.
Фільтри кондуктивних
електромагнітних завад.
Існує
два типи вхідних силових шин. Силові шини постійного струму – це однопровідні
силові з’єднання, друге плече живлення яких формує заземлення. Іншим типом
вхідного з’єднання є двох або трьохпровідна система живлення від мережі
змінного струму. Проектування фільтру ЕМ завад для систем постійного струму
здійснюється в основному в вигляді простого LC-фільтра. Всі завади між одним
силовим проводом і замиканням через „землю” є синфазними. Фільтр постійного
струму, значно більш складний, оскільки враховує паразитні характеристики
компонентів.
Вхідний
фільтр кондуктивних ЕМ завад призначений для утримання ВЧ кондуктивного шуму в
середині корпусу. Фільтрація ліній входу/виходу також важлива для захисту від
шуму внутрішніх схем (наприклад мікропроцесорів, АЦП, ЦАП).
Проектування фільтра
синфазних завад.
Фільтр
синфазних завад відфільтровує шум, що створюється між двома лініями живлення
(H1 і H2). Схема такого фільтру приведене нижче на рис.1.5.11.
Рис. 1.5.11. Фільтр синфазних
завад.
У
фільтрі синфазних завад обмотки котушки індуктивності знаходять в фазі, але
змінний струми, що протікають через ці обмотки – у протифазі. У результаті для
тих сигналів, що співпадають чи протилежні по фазі на двох лініях
електроживлення, синфазний потік всередині сердечника урівноважується.
Проблема
проектування фільтра синфазних завад заклечається в тому, що при високих
частотах (коли власне і потрібна фільтрація) ідеальні характеристики
компонентів спотворюються через паразитні елементи. Основним паразитним
елементом є міжвиткова ємність самого дроселя. Це невелика ємність, яка існує
між всіма обмотками, де різниця напруг (В/виток) між витками веде себе подібно
конденсатору. Цей конденсатор при високій частоті діє як шунт навколо обмотки і
дозволяє ВЧ змінному протікати в обхід обмоток. Частота, при якій це явище є
проблемою, вища частоти авторезонансу обмотки.
Між
індуктивністю самої обмотки і цією розподіленою міжвитковою ємністю формується
коливальний контур. Вище точки авто резонансу вплив ємності стає більшим від
впливу індуктивності, що знижує рівень затухання при високих частотах.
Частотна характеристика
фільтра зображена на рис. 1.5.12.
Рис. 1.5.12. Частотна
характеристика фільтра.
Цей ефект можна зменшити, використавши Cx більшої ємності.
Частота авторезонансу є тією точкою в якій проявляється можливість найбільшого
затухання для фільтра. Таким чином, шляхом вибору методу намотки обмоток
індуктивності, можна розмістити цю точку поверх частоти, яка потрібна для
найкращої фільтрації.
Щоб
почати процес проектування необхідно виміряти спектр не фільтрованого
кондуктивного шуму або прийняти по відношенню до нього деякі припущення. Це
необхідно для того, щоб знати яким повинно бути затухання і на яких частотах.
Приймемо,
що нам необхідно 24дБ затухання на частоті переключення перетворювача напруги.
Визначимо
частоту зрізу характеристики фільтра:
,
де
Gζ – затухання;
,
де:
fc – бажана частота зрізу характеристики фільтра, fsw-
робоча частота перетворювача напруги. У нашому випадку fsw=100кГц,
затухання Gζ= -24дБ.
Вибір коефіцієнта затухання
Мінімальний коефіцієнт
затухання (ζ) не повинен бути менше 0,707. Менше значення приведе до
„звону” і не дасть менше 3дБ затухання на частоті зрізу характеристики.
Розрахунок початковий значень
компонентів
,
де:
ζ – коефіцієнт затухання, ζ=0,707, RL =50Ом - імпеданс
лінії,
;
Приймаємо
С≈0,1мкФ 400В.
Приймаємо Сх=0,22мкФ400В.
Дані конденсатори розміщені між лініями електроживлення. Вони повинні
витримувати напругу 250 В та будь – які скачки напруги
Величину Су – конденсаторів, які розміщені між
кожною фазою та „землею” і повинні витримувати високі напруги ≈2500 В
вибирають на декілька порядків меншою Су ніж Сх. Це
пов’язано з тим, що найбільша ємність конденсатора, доступна при номінальній
напрузі 4 кВ, складає 0,01 мкФ. Приймаємо Су=2,2 нФ.
Оскільки сумарна ємність вибраних конденсаторів більша за
розраховану, то можна припустити, що фільтр буде забезпечувати мінімуму 60 дБ
затухання при частотах в діапазоні від 500 кГц до 10 МГц.
Розрахункова схема фільтру
підходить як для вхідного так і для вихідного кола:
Рис.
1.5.13. Вхідний фільтр ЕМ завад.
L5=L=450 мкГн
С55=С58=Сх=0,22 мкФ400
В
С54=С56=Су=3,3 нФ3
кВ.
Рис.1.5.14.
Вихідний фільтр ЕМ завад.
L6=L=450 мкГн
С54=С56=Су=3,3 нФ3
кВ.
С57=С59=Сх=0,22 мкФ400
В
1.6.
Обґрунтування вибору елементів схеми.
Джерело
безперервного живлення повинне забезпечувати цілодобову роботу будь-якого
пристрою, що підключений до нього, із збереженням вихідних параметрів, тому до
нього висуваються жорсткі вимоги, як до конструкції так і до вибору елементів
схеми.
Умовно елементи схем
можна поділити на елементи загального застосування і спеціальні.
Елементи загального
застосування є виробами масового виробництва, тому вони піддалися досить
широкій стандартизації. Стандартами і нормами встановлені техніко-економічні і
якісні показники, параметри і розміри. Такі елементи називають типовими. Вибір
типових елементів проводиться по параметрах і характеристикам, що описують їх
властивості як при нормальних умовах експлуатації, так і при різних впливах
(кліматичних, механічних і ін.).
Основними електричними параметрами є: номінальне значення
величини, характерної для даного елемента (опір резисторів, ємність
конденсаторів, індуктивність котушок і т.інш.) і межі припустимих відхилень;
параметри, що характеризують електричну міцність і здатність довгостроково
витримувати електричне навантаження; параметри, що характеризують втрати,
стабільність і надійність.
Основними
вимогами, якими потрібно керувати при проектуванні радіоелектронної апаратури,
є вимоги по найменшій вартості виробу, його високій надійності і мінімальним
масогабаритним показникам. Крім того, при проектуванні важливо збільшувати
коефіцієнт повторюваності електрорадіоелементів. Виходячи з перерахованих вище
критеріїв зробимо вибір елементної бази приладу.
1.6.1.
Вибір резисторів.
При виборі резисторів
перш за все звертаємо увагу на їх габарити, вартість та надійність, що
зумовлена напрацюванням на відмову. А виходячи з того що сучасні інтегральні
технології дуже просунулися, порівняно з минулими роками, ми маємо резистори,
які характеризуються: високою надійністю та низькою собівартістю, компактними
розмірами та великою різновидністю.
Порівняємо декілька типів
резисторів.
Товстоплівкові резистори з допуском ±5%.
Технічні
параметри.
Таблиця 1.6.1
Параметри |
Значення |
Тип |
RC01 |
RC11 |
RC21 |
RC31 |
RC41 |
Типорозмір
корпусу |
1206 |
0805 |
0603 |
0402 |
0201 |
Діапазон
номіналів опорів |
1 Ом …1 МОм |
10Ом…1
МОм
|
Допуск |
±5% |
Максимальна
потужність |
0.25 Вт |
0.125Вт |
0.1 Вт |
0.063Вт |
0.005 Вт |
Максимальна
робоча напруга |
200 В |
150 В |
50 В |
15В |
Діапазон
робочих температур |
-55 … +155ºС |
Товстоплівкові резистори з допуском ±1%.
Технічні
параметри.
Таблиця 1.6.2
Параметри |
Значення |
Тип |
RC02H |
RC02G |
RC12H |
RC12G |
RC22H |
Типорозмір
корпусу |
1206 |
1206 |
0805 |
0805 |
0603 |
Діапазон
номіналів опорів |
1 Ом …1 Мом |
10Ом…1
МОм
|
Допуск |
±1% |
Максимальна потужність |
0.25 Вт |
0.25Вт |
0.125Bт |
0.125Вт |
0.1 Вт |
Максимальна
робоча напруга |
200 В |
150 В |
50В |
Діапазон
робочих температур |
-55 … +155ºС |
Типорозміри
SMD резисторів. Таблиця 1.6.3
Типорозмір
корпусу |
L (мм) |
W (мм) |
T (мм) |
Масса (г) |
0201 |
0.6 |
0.3 |
0.3 |
0.02 |
0402 |
1.0 |
0.5 |
0.35 |
0.06 |
0603 |
1.6 |
0.8 |
0.45 |
0.2 |
0805 |
2.0 |
1.25 |
0.55 |
0.55 |
1206 |
3.2 |
1.6 |
0.55 |
1.0 |
Виходячи
з таб.1.6.1. … таб.1.6.3. в якості опорів обираємо товстоплівкові резистори
RC01 та RC02H з типорозміром корпусу 1206 (рис.1.6.1).
Потужні
SMD резистори. Технічні параметри. Таблиця 1.6.4
Параметри |
Значення |
Тип |
XC0204 |
RWN5020 |
RWP5020 |
Типорозмір
корпусу |
SMD MELF |
SMD POW |
SMD POW |
Діапазон
номіналів опорів |
0.22Ом…10МОм |
0.003Ом…1МОм |
1Ом…0.1МОм |
Допуск |
0.1%...5% |
1;2;5% |
1;5% |
Максимальна
потужність |
1 Вт |
1.6Вт |
1.6Bт |
Максимальна
робоча напруга |
300 В |
Діапазон
робочих температур |
-55 … +155ºС |
Виходячи
з таб.1.6.4. в якості потужних опорів обираємо резистори RWN5020 з типорозміром
корпусу SMD POW (рис.6.2.б).
А
= 1.5 мм.
В = 1.2 мм.
С = 4.7 мм.
Рис.1.6.1. Рекомендоване
розположення при пайці резисторів RC01, RC02H типорозміру 1206.
а)
б)
Рис.1.6.2. Типорозміри корпусів резисторів:
а) SMD MELF ; б) SMD POW
В якості підстроювальних
опорів вибираємо резистори PVZ3A фірми Murata рис. 1.6.3.
Підстроювальні резистори PVZ3A.
Технічні
параметри. Таблиця 1.6.5
Функціональна характеристика |
Лінійна |
Номінальна потужність |
0.1Вт при 50°С |
Максимальна робоча напруга |
50V |
Робочий діапазон температур |
-25°C…85°C |
Допустиме відхилення номінального значення опору |
±30% |
Кут повороту |
230°± 10° |
Діапазон номінальних опорів |
100Ом…2МОм |
Температурний коефіцієнт опору (ТКО) |
500ppm/°C |
Зусилля повороту |
20-200 г./см |
Рис.1.6.3. Типорозмір
підстроювальних резисторів PVZ3A.
1.6.2 Вибір конденсаторів.
При
виборі конденсаторів, враховуючи умови експлуатації виробу, а також електричні
параметри, будемо керуватися тим, що для конденсаторів висуваються наступні
вимоги:
- найменша маса;
- найменші розміри;
- відносна дешевизна;
- висока стабільність;
- висока надійність;
Візьмемо для розгляду
декілька типів конденсаторів, і зробимо порівняння відносно класу діелектрика у
вигляді таблиці.
SMD
конденсатори. Технічні параметри. Таблиця 1.6.6
Клас
діелектрика |
Клас 1 |
Клас 2 |
Типорозмір
корпусу |
0402…1210 |
0402…2220 |
Номінальна
постійна напруга Uн
|
50В; 200В;500В;1кВ;3кВ |
25В; 50 В; 100В; 200В; 500В;1кВ;2кВ;3кВ |
Діапазон
ємностей |
1 пФ…10 нФ;1нФ…10мкФ |
1 пФ…1 нФ; 1нФ…10мкФ |
Допуск ємностей
(в % чи пФ) |
При Сн<10 пФ:
±0.1 пФ
±0.25 пФ
±0.5 пФ
При Сн≥10 пФ:
±1 %
±2 %
±5 %
±10 %
|
±5 %
±10 %
±20 %
|
Максимально
відносна девіація ємності ΔС/С |
- |
±15 % |
Діапазон
робочих температур |
-55…+125ºС |
-55…+125ºС |
Максимальне
значення тангенса купа втрат tg δ |
<1.10-3
|
<25.10-3
<35.10-3 (16В)
|
Опір ізоляції
при 25 ºС |
> 105 МОм
|
> 105 МОм
|
при 125 ºС |
- |
> 104 МОм
|
Постійна часу при 25 ºС |
> 1000 с |
> 1000 с |
при 125 ºС |
> 100 с |
> 100 с |
Типорозміри
SMD конденсаторів. Таблиця 1.6.7.
Розмір
мм
|
0402
1005
|
06032
1608
|
0805
2012
|
1206
3216
|
1210
3225
|
l |
1.5±0.1 |
1.6±0.15 |
2.0±.02 |
3.2±0.2 |
3.2±0.3 |
b |
0.5±0.05 |
0.8±0.1 |
1.25±0.15 |
1.6±0.15 |
2.5±0.3 |
s |
0.5±0.05 |
0.8±0.1 |
1.35max |
1.3max |
1.7max |
k |
0.1-0.4 |
0.1-0.4 |
0.13-0.75 |
0.25-0.75 |
0.25-0.75 |
Виходячи
з таб.1.6.6. в якості SMD конденсаторів обираємо конденсатори з діелектриком
1 класу, типорозміром корпусу 1206 (рис.1.6.4.).
А = 1.5 мм.
В = 1.2 мм.
С = 4.7 мм.
Рис. Рекомендоване розташування при пайці
SMD конденсаторів типорозміру 1206.
Вибираємо
електролітичні конденсатори фірми Hitano, для звичайного монтажу серії ECR.
Серія
ECR:
діапазон напруг |
6.3…100В |
160…460В |
діапазон
ємностей |
0.47…10000мкФ |
0.47…220мкФ |
температурний
діапазон |
-40…+85°С |
-25…+85°С |
струм втрат |
<0.01CU |
<0.03CU |
розкид ємностей |
±20% при 20°С, 120Гц |
Діелектричні
втрати (tgs), не більше
U,B |
16 |
25 |
35 |
50 |
63 |
100 |
200 |
350 |
400 |
tgs(D4-6.3) |
0.16 |
0.14 |
0.12 |
0.1 |
0.1 |
0.08 |
0.18 |
0.2 |
0.2 |
Стабільність
при низьких температурах (відношення імпедансів на частоті 120Гц).
U,B |
16 |
25 |
35 |
50 |
63 |
100 |
200 |
350 |
400 |
Z(-25°C)/ Z(+20°C) |
2 |
2 |
2 |
2 |
2 |
2 |
2 |
2 |
2 |
Z(-40°C)/ Z(+20°C) |
4 |
4 |
3 |
3 |
3 |
3 |
|
|
|
Типорозміри
електролітичних конденсаторів. Таблиця 1.6.8
мкФ/B |
16 |
25 |
35 |
50 |
63 |
100 |
200 |
350 |
400 |
1 |
|
|
|
5´11 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
6´11 |
6´11 |
2.2 |
|
|
|
5´11 |
5´11 |
5´11 |
6´11 |
6´11 |
8´12 |
4.7 |
|
|
|
5´11 |
5´11 |
5´11 |
8´12 |
8´12 |
10´13 |
10 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
6´11 |
10´16 |
10´13 |
10´13 |
22 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
6´11 |
6´11 |
10´21 |
10´13 |
10´16 |
33 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
6´11 |
6´11 |
8´12 |
13´21 |
10´21 |
10´21 |
47 |
5´11 |
5´11 |
5´11 |
6´11 |
6´11 |
10´13 |
13´21 |
13´21 |
13´26 |
100 |
5´11 |
6´11 |
6´11 |
8´12 |
10´13 |
10´21 |
16´26 |
16´32 |
16´32 |
220 |
6´11 |
8´12 |
8´14 |
10´13 |
10´16 |
13´26 |
18´36 |
18´41 |
|
330 |
8´12 |
8´14 |
10´13 |
10´17 |
10´20 |
13´26 |
|
|
|
470 |
8´12 |
8´14 |
10´16 |
13´21 |
13´26 |
16´26 |
|
|
|
1000 |
10´16 |
10´21 |
13´21 |
13´26 |
16´25 |
18´41 |
|
|
|
2200 |
13´21 |
13´21 |
16´26 |
16´36 |
18´36 |
|
|
|
|
3300 |
13´26 |
16´26 |
16´32 |
18´36 |
22´41 |
|
|
|
|
4700 |
16´26 |
16´32 |
18´36 |
22´41 |
25´41 |
|
|
|
|
Рис.1.6.5. Габаритні розміри електролітичних
конденсаторів.
D |
5 |
6 |
8 |
10 |
13 |
16 |
18 |
22 |
25 |
P |
2.0 |
2.5 |
3.5 |
5.0 |
5/0 |
7.5 |
7.5 |
10 |
12.5 |
d |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.6 |
0.6 |
0.8 |
0.8 |
1.0 |
1.0 |
1.6.3 Вибір індуктивностей та трансформаторів
Вибираємо
моточні вироби фірми Epcos.
У якості дроселів, для фільтрів по
живленню, із таблиці виберемо дроселі типу DB36-10-47, DST4-10-22, FMER-K26-09.
Котушки
індуктивності. Технічні параметри. Таблиця 1.6.9
Тип |
Індуктивність
мкГн
|
Q |
Тест.
частота
Гц
|
Опір
Ом
|
Струм
тип.
А
|
Струм
нас.
А
|
L |
Q |
DB36-10-47 |
150±20% |
46 |
100К |
2.520М |
0.02 |
12.80 |
14.20 |
DST4-10-22 |
47±20% |
42 |
100К |
2.520М |
0.01 |
12.20 |
15.50 |
FMER-K26-09 |
60±20% |
56 |
100К |
2.520М |
0.12 |
8.2 |
10.4 |
Трансформатори
вибираємо типу TS40-15-2, KERBIP-2-K20, TS300-12-K28, TS12-300-K32 діапазон
робочих температур -40…+45оС.
1.6.4 Вибір активних елементів
Вибираємо
транзистори фірми STMicroelectronics табл.1.6.10.
Технічні параметри транзисторів. Таблиця 1.6.10
Параметри |
К1531 |
GT15Q101 |
BC556 |
IRFP150 |
IRFD123 |
2N2907 |
К792 |
Напруга колектор-база
(втік-затвор)
|
500B |
1200В |
80В |
100В |
80В |
-60В |
900В |
Напруга колектор-емітер
(втік-витік) |
500B |
1200В |
65В |
100В |
80В |
-40В |
900В |
Напруга
база-емітер
(затвор-витік)
|
±30B |
±20В |
5В |
±20B |
±20B |
-5В |
±20B |
Струм колектора
(втока)
|
15A |
15А |
100мА |
43A |
1.1А |
-600мА |
3A |
Імпульсний струм колектора
(втока)
|
60A |
30А |
200мА |
170A |
4.4А |
-1.2А |
5A |
Струм бази |
|
|
2мА |
|
|
20мА |
|
Розсіювана потужність |
150Bт |
150Вт |
0.5Вт |
193Вт |
1.5Вт |
200мВт |
100Вт |
Вхідна ємність |
1480пФ |
1800пФ |
10пФ |
1750пФ |
450пФ |
30пФ |
800пФ |
Вихідна ємність |
400пФ |
|
3пФ |
420пФ |
200пФ |
8пФ |
250пФ |
Допустима температура |
150°C |
150°С |
150°С |
175°С |
150°С |
150°С |
150°С |
Вибираємо
діоди фірм Fairchild та International Rectifier.
Технічні
параметри діодів. Таблиця
1.6.11
Параметри |
Uзв.,
В |
Імакс.,
А |
Ізв.,
мА |
Fмакс.,
кГц |
PSOF107 |
300 |
0.3 |
0.005 |
40 |
1N4937 |
600 |
1.5 |
2 |
150 |
LL4148 |
100 |
0.2 |
0.005 |
300 |
LL414P |
60 |
0.5 |
0.01 |
300 |
MUR860 |
600 |
10 |
20 |
200 |
MUR31 |
800 |
8 |
2 |
10 |
RUR30100 |
1000 |
30 |
1 |
300 |
Вибираємо мікросхеми фірм Unitrode,
National Semiconductor, Intersil, STMicroelectronics.
В якості контролерів живлення
оберемо UC3842 фірми Unitrode, SG3525 фірми STMicroelectronics.
В якості мікросхеми стабілізатора
напруги оберемо ІМС фірми STMicroelectronics.
Технічні параметри мікросхеми інтегрального
стабілізаторів. Таблиця 1.6.13
Тип |
Вхідна напруга,
В
|
Напруга стабілізації, В |
Вихідний струм, А |
Температура, °С |
78M05ST |
+30 |
+5 |
1.2 |
-55…+125 |
1.7. Розрахунок друкованої плати.
1.7.1. Розрахунок
площі друкованої плати.
Визначаємо стандартні розміри елементів які
застосовуються і зводимо дані в таблицю. 1.7.1.
Розміри елементів та їх сумарна площа.
Таблиця. 1.7.1.
Назви груп
компонентів |
Кіль-
кість N,шт
|
Довжина
L,мм
|
Ширина
В,мм
|
Діаметр
D,мм
|
Площа
S=L*В,мм2
|
Площа N елем.
S*N,мм2
|
Діаметр
виводів
d,мм
|
1. |
2. |
3. |
4. |
5. |
6. |
7. |
8. |
Резистори
постійні
0.25...0.5Вт
|
119 |
4.7 |
1.5 |
|
7.05 |
838.95 |
|
Резистори
постійні
1...2Вт
|
10 |
12 |
5 |
|
60 |
600 |
0.85 |
Резистори
змінні |
3 |
3.1 |
3.6 |
|
11.16 |
33.48 |
|
Конденсатори
керамічні |
37 |
4.7 |
1.5 |
|
7.05 |
260.85 |
|
Конденсатори
електролітичні |
14 |
|
|
16 |
200.96 |
2813 |
|
8 |
|
|
20 |
314 |
2512 |
|
Транзистори |
17 |
25 |
40 |
|
1000 |
17000 |
1.0 |
Діоди
малої потужності |
8 |
4.7 |
1.5 |
|
7.05 |
56.4 |
0.6 |
Діоди
великої потужності |
16 |
15 |
20 |
|
300 |
4800 |
1.2 |
Стабілітрони |
5 |
4.7 |
2 |
|
9.4 |
47 |
|
ІМС SMD |
6 |
14 |
12 |
|
168 |
1008 |
|
IMC DIP |
5 |
10 |
8 |
|
80 |
400 |
1.0 |
Дроселі |
6 |
42 |
22 |
|
924 |
5544 |
1.2 |
Трансформатори
сигнальні |
3 |
|
|
15 |
176 |
530 |
1.0 |
Трансформатори
живлення |
2 |
70 |
60 |
|
4200 |
8400 |
1.2 |
Вставка
плавка |
4 |
30 |
10 |
|
300 |
1200 |
1.2 |
Реле |
2 |
50 |
20 |
|
1000 |
2000 |
1.0 |
Розєми |
6 |
20 |
10 |
|
200 |
1200 |
0.85 |
Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6
|